相對于體材料來(lái)講，在制備薄膜材料時(shí)，比較容易獲得非晶態(tài)結構。這是因為薄膜制備方法可以比較容易地造成非晶態(tài)結構的外界條件，即較高的過(guò)冷度和低的原子擴散能力，這兩個(gè)條件也正是提高相變過(guò)程的過(guò)冷度，抑制原子擴散，從而形成非晶態(tài)結構的條件?？梢酝ㄟ^(guò)降低基片溫度、引入反應性氣體和摻雜方法實(shí)現上述條件。例如，對于硫化物和鹵化物薄膜在基片溫度低于77K時(shí)可形成無(wú)定形薄膜。有些氧化物薄膜，基片溫度在室溫時(shí)都有形成無(wú)定形薄膜的趨向。引入反應性氣體的實(shí)例是在10ˉ2 Pa- 10ˉ3 Pa氧分壓中蒸發(fā)鋁、稼、銦和錫等薄膜，由于氧化層阻擋了晶粒生長(cháng)而形成無(wú)定形薄膜。在83%ZrO2一17%SiO2和67%ZrO2一33%MgO的摻雜薄膜中，由于兩種沉積原子尺寸的不同也可形成無(wú)定形薄膜。