(1)雖然沉積粒子所釋放的動(dòng)能和結合能將導致沉積原子附近局部溫度升高，但整個(gè)基體的溫升是極其微小的，因此可認為薄膜生長(cháng)是等溫生長(cháng)過(guò)程。
    (2)當人射粒子在基體表面上的能量足夠大時(shí)，該粒子不但可以在膜層表面進(jìn)行遷移運動(dòng)，甚至可以在垂直方向進(jìn)行運動(dòng)，若其下層有空位，還可以穿越到下層填補空位。
    (3)在實(shí)際過(guò)程中，單個(gè)粒子的再蒸發(fā)率較高，而一旦1個(gè)粒子與其他粒子相遇并結合成團后，其再蒸發(fā)概率將大為降低，因此可以近似地認為，只有單個(gè)粒子可以被再蒸發(fā)到基體外部，而多個(gè)粒子被再蒸發(fā)和分解的可能性很小。
    (4)粒子在基體表面上的運動(dòng)分為3種情況:①吸附:粒子被吸附在基體表面。②擴散:粒子在基體表面上遷移，其遷移方向應使系統整體能量降低。擴散包括單個(gè)粒子自由擴散和沿簇團邊緣擴散。③蒸發(fā):粒子在特定的條件下脫離基體表面。