薄膜生長(cháng)是一個(gè)隨機過(guò)程，利用Monte Carlo算法模擬薄膜的生長(cháng)過(guò)程是研究其生長(cháng)機理的有效途徑。目前，Monte Carlo法模擬薄膜生長(cháng)主要有3種算法:

    1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC)
    這種方法指定幾類(lèi)可能會(huì )發(fā)生的事件，但不允許其他類(lèi)型的事件發(fā)生。例如規定允許被吸附的原子可以在某個(gè)晶面內或沿邊緣遷移，不允許其他類(lèi)型的事件，如跨晶面或跨邊界遷移。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以準確地知道發(fā)生的事件及其概率;缺點(diǎn)是有可能忽略某些重要類(lèi)型的事件，造成模擬結果不準確。