外延生長(cháng)的基本參數之一是基片溫度，對于基片與薄膜材料之間，都有一個(gè)臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長(cháng)是良好的，而低于此溫度的外延生長(cháng)則是不完善的。此外，生長(cháng)速率R與基片溫度T有關(guān)。   

如吸附原子在與另一個(gè)原子碰撞結合之前能進(jìn)人穩定的平衡位置，外延便能順利進(jìn)行.顯然基片溫度升高會(huì )促進(jìn)外延生長(cháng)，它使表面原子具有更多的機會(huì )到達平衡位置，使表面擴散和體擴散都增強，結晶過(guò)程變得較容易進(jìn)行.從而促進(jìn)了單晶薄膜的生長(cháng)。

基片的晶體結構對于外延薄膜的結構及取向有著(zhù)十分重要的影響，同質(zhì)外延時(shí)兩者的結構是一樣的，異質(zhì)外延時(shí)兩者的結構也密切相關(guān)。異質(zhì)外延時(shí)常用失配度來(lái)描述基片結構與薄膜結構的關(guān)系。