層狀一島狀結合生長(cháng)(又稱(chēng)Stranski-Krastanoy)模式。在最開(kāi)始一兩個(gè)原子層厚度的層狀生長(cháng)之后，生長(cháng)模式轉化為島狀模式。導致這種模式轉變的物理機制較復雜，往往在基片和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現這種生長(cháng)模式。首先在基片表面生長(cháng)1層一2層單原子層，這種二維結構強烈地受到基片晶格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長(cháng)的方式生成小島，最終形成薄膜。在半導體表面上形成金屬薄膜時(shí)，常常是這種層一島生長(cháng)型，如在Ge的表面蒸發(fā)Gd，在Si的表面蒸發(fā)Bi,Ag等都屬這種類(lèi)型。