在島狀生長(cháng)模式下，到達基片上的原子首先凝聚成無(wú)數不連續的小核，后續飛來(lái)的原子不斷集聚在核附近從而使核在三維方向不斷成長(cháng)，最終形成連續的薄膜。因此島狀生長(cháng)模式又稱(chēng)為核生長(cháng)模式。大部分薄膜的形成過(guò)程都屬于這種生長(cháng)類(lèi)型。這種生長(cháng)模式的過(guò)程如圖5一7(a)所示。島狀生長(cháng)模式的生長(cháng)過(guò)程可以分成如下幾個(gè)階段。

1)成核階段

到達基片上的原子，其中的一部分與基片原子交換能量后，仍具有相當大的能量，可以返回氣相。而另一部分則被吸附在基片表面上.這種吸附主要是物理吸附，原子將在基片表面停留一定的時(shí)間。由于原子本身還具有一定的能量，同時(shí)還可以從基片得到熱能，因此原子有可能在表面進(jìn)行遷移或擴散。在這一過(guò)程中，原子有可能再蒸發(fā)、也可能與基片發(fā)生化學(xué)作用而形成化學(xué)吸附，還可能遇到其它的蒸發(fā)原子而形成原子對或原子團。

發(fā)生后兩種情況時(shí)，原子再蒸發(fā)與遷移的可能性極小.從而逐漸成為穩定的凝聚核。

2)小島階段

當凝聚晶核達到一定的濃度以后，繼續蒸發(fā)就不再形成新的晶核。新蒸發(fā)來(lái)的吸附原子通過(guò)表面遷移將聚集在已有晶核上，使晶核生長(cháng)并形成小島，這些小島通常是三維結構，并且多數已具有該種物質(zhì)的晶體結構，即已形成微晶粒。

3)網(wǎng)絡(luò )階段

隨著(zhù)小島的長(cháng)大，相鄰的小島會(huì )互相接觸并彼此結合，結合的過(guò)程類(lèi)似兩小液滴結合成一個(gè)大液滴的情況，這是由于小島在結合時(shí)釋放出一定的能量，這些能量足以使相接觸的微晶狀小島瞬時(shí)熔化，在結合以后，由于溫度下降所生成的島將重新結晶。隨著(zhù)小島的不斷結合，將形成一些具有迷津結構的網(wǎng)絡(luò )狀薄膜。

4)連續薄膜

隨著(zhù)蒸發(fā)或濺射的繼續進(jìn)行，吸附原子將填充島與.島之間的間隔，也有可能在島與島之間生成新的小島，由小島的生長(cháng)來(lái)填充空溝道，*形成連續薄膜。

不同的物質(zhì)經(jīng)歷這四個(gè)階段的情況是不同的。例如鋁膜和銀膜都是島狀生長(cháng)類(lèi)型的，但是鋁膜只有在生長(cháng)的最初階段呈現島狀結構，然后在薄膜很薄時(shí)就能形成連續薄膜.而銀膜則要在薄膜較厚時(shí)才能形成連續薄膜。圖5一8是Mos2基片上銀膜形成過(guò)程
示意圖，圖5一8中(a)是晶核階段，(b)是小島階段，(c)是網(wǎng)絡(luò )階段,(d)是溝道逐漸被填充而形成連續薄膜。