在基底表面上吸附的氣相原子凝結之后，吸附原子在其表面上擴散遷移而形成晶核。晶核再結合其他吸附氣體原子逐漸長(cháng)大，*便形成了薄膜。因此薄膜的形成是由成核開(kāi)始的，由核生長(cháng)而形成薄膜。

晶核形成與生長(cháng)的物理過(guò)程可用圖5一3來(lái)表示。從圖中可以看出核的形成與生長(cháng)的四個(gè)階段:

(1)從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的氣相原子人射到基片表面上，其中一部分因能量較大而彈性反射回去，另一部分則吸附在基片表面上。在吸附的氣相原子中有一小部分因能量較大而再蒸發(fā)，回到氣相。

(2)吸附氣相原子在基底表面上擴散遷移，互相碰撞結合形成原子對或小原子團并凝結在基片表面上。

(3)原子對或小原子團和其他吸附原子繼續碰撞結合，一旦原子團中的原子數超過(guò)某一個(gè)臨界值，則原子團進(jìn)一步與其他吸附原子碰撞結合，向著(zhù)長(cháng)大方向發(fā)展形成穩定的原子團。含有臨界值原子數的原子團稱(chēng)為臨界核，穩定的原子團稱(chēng)為穩定核。

(4)穩定核再捕獲其他吸附原子，或者與人射氣相原子相結合使它進(jìn)一步長(cháng)大成為小島。

核形成過(guò)程若在均勻相中進(jìn)行則稱(chēng)為均勻成核;若在非均勻相或不同相中進(jìn)行則稱(chēng)為非均勻成核。在固體或雜質(zhì)的界面上發(fā)生核形成時(shí)都是非均勻成核。