薄膜開(kāi)關(guān)的生長(cháng)特性受沉積條件的影響，其中主要的因素有沉積速率、基片溫度、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等。
對于不同類(lèi)型的金屬，沉積速率的影響程度是不同的，這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質(zhì)和表面狀況有關(guān)。即使是同一種金屬，在不同的工藝條件下，沉積速率對薄膜結構的影響也不完全一致。一般說(shuō)來(lái)，沉積速率會(huì )影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等。。
在低沉積速率的情況下，金屬原子在基片上遷移的時(shí)間比較長(cháng)，容易到達吸附點(diǎn)位置，或被處于其他吸附點(diǎn)位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒，使得薄膜的結構粗糙，PET薄膜開(kāi)關(guān)的薄膜不致密。。
同時(shí)由于沉積原子到達基片后，后續原子還沒(méi)有及時(shí)到達，因而暴露在外時(shí)間比較長(cháng)，容易受殘余氣體分子或沉積過(guò)程中引人的雜質(zhì)的污染，以及產(chǎn)生各種缺陷等。。
因此，沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細小，結構致密，但由于同時(shí)凝結的核很多，在能量上核處于能量比較高的狀態(tài)，所以薄膜開(kāi)關(guān)存在著(zhù)比較大的內應力，同時(shí)缺陷也較多。