金屬有機物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)制備薄膜沉積溫度較低，沉積速率高，制備的薄膜均勻，并能生長(cháng)多元復合薄膜，與半導體工藝兼容，因此廣泛地用于制備半導體、鐵電、超導等薄膜材料。但由于MOCVD法所用的金屬有機物源(MO源)為高蒸氣壓的液體或氣體，制備和提純困難；目前制備的種類(lèi)有限，且易水解，使用和運輸不便，在一定程度上限制了MOCVD的發(fā)展。為了克服MOCVD法的不足，人們發(fā)展出了一種新的化學(xué)制備薄膜的方法—噴霧熱解(Spray Pyrolysis, SP)法。噴霧熱解法在一定程度上結合了液相法和氣相法制備薄膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，顯示較廣泛的應用前景。
   噴霧熱解法采用類(lèi)似于金屬有機物熱解法(MOD)或溶膠一凝膠法（Sol-gel)中的有機溶液或水溶液為氣體，將氣體溶液霧化為液滴，用類(lèi)似于CVD的方法將液滴用載氣送入反應室，在加熱墓片上反應沉積薄膜.根據霧化方式的不同，噴霧熱解法制備薄膜技術(shù)可分為壓力霧化沉積、超聲霧化沉積和靜電霧化沉積，雖然在霧化方式上有所不同，但各系統均包括液態(tài)氣體的輸運、氣體的霧化、霧化液滴的輸運、基片加熱以及薄膜沉積等幾部分。
   自從1966年Chamberlin和Skarman用SP法制得太陽(yáng)能電池用US薄膜以來(lái)，SP法已廣泛用于制備單氧化物、尖晶石型氧化物、鈣欽礦型氧化物以及硫化物、硒化物等。SP法還用于制備多化學(xué)組分的陶瓷粉體。
   SP法制備薄膜技術(shù)主要有如下優(yōu)點(diǎn):
   (1)工藝設備簡(jiǎn)單，不需要高真空設備，在常壓下即可進(jìn)行;
   (2)能大面積沉積薄膜，并可在立體表面沉積.沉積速率高，易實(shí)現工業(yè)生產(chǎn)，
   (3)可選擇的前馭物較多，容易控制薄膜的化學(xué)計量比;摻雜容易并可改變前驅物溶液中組分的濃度制備多層膜或組分梯度膜等。
   (4)通過(guò)調節霧化參數可控制薄膜的厚度，克服溶膠一凝膠法難于制備厚膜的不足;
   (5)沉積溫度大多在600℃以下.相對較低。
   不過(guò)無(wú)論采用何種方式霧化，SP法制備薄膜均是由霧滴或細粉體顆粒沉積生長(cháng)而成，所制備薄膜的表面不如MOCVD制備的薄膜光滑平整，薄膜中的氣孔率也較高。而且，霧化液滴的大小及分布，溶液性質(zhì)以及基片溫度等工藝條件對SP法制備薄膜的表面形貌影響很大。因此噴霧熱解法不容易制備光滑、致密的薄膜.在沉積過(guò)程中，薄膜中易帶人外來(lái)雜質(zhì)，而且主要限于制備氧化物、硫化物等材料。