濺射鍍膜的基本原理是利用帶電荷的離子在電場(chǎng)中加速后其有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被濺射的靶電極。在離子能量滿(mǎn)足一定條件的情況下，入射的離子在與靶原子的碰撞過(guò)程中使靶原子從表面濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的原子帶有一定的動(dòng)能，并且會(huì )沿著(zhù)一定的方向射向基片，從而實(shí)現在基片上薄膜的沉積。濺射出的粒子大多呈原子狀態(tài)，常被稱(chēng)為濺射原子。轟擊靶的入射荷能離子可以是電子、離子或中性粒子，但因離子在電場(chǎng)作用下易于加速而獲得所需動(dòng)能，所以大多采用離子作為轟擊粒子，稱(chēng)為人射離子。這種鍍膜技術(shù)又稱(chēng)為離子濺射鍍膜(或沉積)。與此相應.對于靶而言，濺射產(chǎn)生的作用相當于刻蝕，因此利用濺射也可以進(jìn)行刻蝕。淀積和刻蝕是濺射過(guò)程的兩種應用。濺射鍍膜現已廣泛地應用于各種薄膜的制備之中，如用于制備金屬、合金、半導體、氧化物、絕緣介質(zhì)薄膜，化合物半導體薄膜，碳化物及氮化物薄膜，高TC超導薄膜等。

   濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比，有以下特點(diǎn):

   (1)可以濺射任何物質(zhì)。不論是金屬、半導體、絕緣體、化合物和棍合物，也不論是塊狀、粒狀的物質(zhì)，只要是固體，都可以作為靶材.由于濺射氧化物等絕緣材料和合金時(shí)，幾乎不發(fā)生分解和分餾，所以可用于制備與靶材料組分相近的薄膜和組分均勻的合金膜.乃至成分復雜的超導薄膜。