欣達電子：控制原子排列的薄膜開(kāi)關(guān)
    薄膜開(kāi)關(guān)一般采用高精密度膜厚度測定儀，以0. 1人一1人/秒慢速度進(jìn)行蒸汽沉積，就可能在垂直方向以原子水平合成可控制結構物質(zhì)。特別對于不同成分的薄膜開(kāi)關(guān)能以不到幾十人厚度進(jìn)行有規則堆積的多層化物質(zhì)，從而能得到按人為規律設計的物質(zhì)—人造晶格物質(zhì)。人造晶格與半導體電子工業(yè)有著(zhù)密切關(guān)系，曾利用分子束外延法等進(jìn)行研究，十分活躍。采用真空蒸汽沉法也可制成人工晶格膜.
    人工晶格可分成二大類(lèi)。一類(lèi)是沉積層物質(zhì)具有各自大小和同一結構(以結晶或無(wú)定形)作為沉積層薄膜開(kāi)關(guān)整體，制成人為周期性結構組成的膜。另一類(lèi)是周期性沉積層物質(zhì)不完全是新的結構。
　　用真空蒸汽沉積法合成氧化物人工晶格的例子有CoO/NiO沉積層，NiO/Fe3 0;沉積層和CoO/Fe3O:沉積層以大于100人為周期沉積層膜，各自具有不同大小和同樣結構的多層膜。以小于幾十入為周期制成具有不同大小和不同品格常數的新結構人工晶格膜。用真空蒸汽沉積法還制得了Fe/Sb沉積層和Fe/Mg沉積層的人工金屬晶格膜。